產品訊息
Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統級封裝器件,支援多功率等級,為客戶創造競爭優勢
2023-12-14
Weltrend新參考設計表明,擁有成本優勢的SuperGaN SiP IC,適用於65瓦和100瓦適配器 ,為客戶帶來規模經濟以及無與倫比的氮化鎵穩健性 | ||||||||||||||||||||||
全球領先的氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)與適配器USB-C PD控制器積體電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.(偉詮電子,TWSE:2436)宣佈合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路採用兩家公司合作開發的系統級封裝(SiP)SuperGaN®電源控制晶片WT7162RHUG24A,在准諧振反激式(QRF)拓撲中可實現92.2%的效率。 | ||||||||||||||||||||||
該參考設計是偉詮電子推出的第二款使用WT7162RHUG24A的QRF拓撲USB-C PD適配器控制板。在今年早些時候,偉詮電子發佈了65瓦的適配器控制電路。兩款適配器控制板採用同一個SuperGaN SiP,與競爭方案相比,客戶能夠以更優的成本實現100瓦產品設計,從而實現規模效益。這也表明,65瓦功率級SuperGaN SiP同樣滿足100瓦功率級設計的性能和散熱要求。 | ||||||||||||||||||||||
Transphorm業務發展及市場行銷高級副總裁 Philip Zuk 表示:“基於氮化鎵的積體電路可以簡化設計,這個想法很棒,但必須“做到集成”,必須是封裝內置有必需的控制器的單一集成器件。這正是偉詮電子和Transphorm的SuperGaN SiP的優勢所在。我們推出的系統級封裝是簡單的常閉型解決方案,無需保護電路、驅動器或外部控制器。除此之外,同一顆SiP還適用於65瓦和100瓦的電源適配器。具備了這些亮點的產品和方案,才真正展示出氮化鎵所固有的全面的性能優勢和穩健特性。目前,只有Transphorm的SuperGaN平臺能夠實現。” | ||||||||||||||||||||||
偉詮電子市場行銷副總裁羅汶光指出:“偉詮電子在AC-DC電源市場的市占率正不斷增長,確保為市場提供最好、最實用的解決方案,對我們來說最為重要。目前,利用氮化鎵材料極具吸引力的諸多性能優勢,電源適配器市場在不斷創新,偉詮電子要做的就是確保客戶能夠受益于氮化鎵的這些優勢——不僅在技術上受益,而且能獲得更好、更全面的投資回報(ROI)。一顆SiP,既滿足適配器物理設計要求,同時又適用於整個適配器系列的不同型號,這是偉詮電子、Transphorm以及客戶的多方共贏。這款新發佈的100瓦參考設計方案,有力地證明了我們的技術在低價位市場同樣具有競爭力,而這只是起步,未來可期。” | ||||||||||||||||||||||
100瓦適配器參考設計規格 | ||||||||||||||||||||||
偉詮電子的通用型100瓦電源適配器驗證板按照USB PD 3.0 + PPS 標準設計,用於更快地開發為智慧手機、平板電腦、筆記型電腦和其它智慧設備充電的各種扁平高性能電源適配器。主要技術規格如下: | ||||||||||||||||||||||
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SuperGaN SiP:結構緊湊、成本效益高、加速產品開發 | ||||||||||||||||||||||
WT7162RHUG24A是一款真正的積體電路,專為應用於45至100瓦USB-C PD電源適配器而設計。該器件集成了Weltrend的WT7162RHSG08准諧振/多模反激式PWM控制器和Transphorm的240 毫歐姆、650 V SuperGaN® FET® FET.。該SiP IC是24引腳8x8 QFN封裝的表面貼裝器件,可實現92.2%的峰值效率。主要優勢包括更高的功率密度和更好的散熱性能,因此,具有更長期的可靠性,且降低BOM物料成本。如需瞭解更多資訊,請訪問:https://www.transphormusa.com/en/document/weltsipbd/ | ||||||||||||||||||||||
供貨情況 | ||||||||||||||||||||||
如需索取演示板和/或SiP樣品,請聯繫Weltrend銷售團隊:sales@weltrend.com.tw | ||||||||||||||||||||||
關於Transphorm | ||||||||||||||||||||||
Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼TGAN)是氮化鎵革命的全球領導者,致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一,持有或取得授權的專利超過1,000多項,在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式,公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新:設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性,以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm總部位於美國加州戈利塔,並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。官網:www.transphormusa.com 微信公眾號:TransphormGaN氮化鎵 | ||||||||||||||||||||||
關於偉詮電子 | ||||||||||||||||||||||
偉詮電子(TWSE: 2436)於1989年成立於「臺灣矽谷」新竹科學園區,是一家領先的無晶圓廠半導體公司,專門從事混合信號/數位IC產品的規劃、設計、測試、應用開發和經銷。產品用於電源、馬達控制、影像處理等多個應用領域。如需瞭解更多資訊,請造訪Weltrend Semiconductor Inc.。 | ||||||||||||||||||||||
SuperGaN是Transphorm, Inc.的注冊商標。所有其他商標均為其各自所有者的財產。 | ||||||||||||||||||||||