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查看与规格技术相关问题

设定GPIO是使用MOV或MOVX指令?

回答

都有支援MOV及MOVX指令。指令MOVX是给GPIOA~GPIOF埠使用，至于MOV指令是标准8051 I/O在使用，MCU提供4个GPIO脚位支援8051 Port 0功能，可以使用MOV、SETB及CLR指令来设定GPIO的准位状态，详细可参考GPIO范例程式。

在不使用外部的RESET脚位作復位，可以用什麽方式达到相同的效果?

回答

WT56F216/WT51F104都内建LVD/LVDR，所以可以透过低压侦测復位达到相同的效果，详细可参考Data sheet中的低压侦测復位章节(LVDR)。

MCU从上电到復位元完成需要多少时间?因復位时间导致週边LED闪烁要如何解决?

回答

WT56F216 / WT51F104从上电到復位元完成需要16ms。

WT56F216 / WT51F104的GPIO初始值为Input Tri-state，因此不会让LED闪烁。

WT56F216 / WT51F104如何可以达到掉电记忆?

回答

WT56F216 / WT51F104都支援彷真式E2PROM，因此可以在每次完成开机程式后，将所有的状态都储存到Flash内。详细可参考彷真式E2PROM应用文件。

WT56F216 / WT51F104各个模式下的耗电流?

回答

WT56F216及WT51F104在写满整个flash后的烧录时间是多少?

回答

WT56F216烧录16Kbyte需要20秒

WT51F104烧录4Kbyte需要3.5秒

有关IRC 12MH的频率误差

回答

WT56F216及WT51F104安规测试

回答

已经过合格的实验室测试，EFT可达 ±4KV；ESD Contact 可达±4KV Air可达±15KV。

ADC的转换模式，支援那几种?

回答

1. 单一转换：开启ADC及致能单一转换，等待转换完成后读取数据资料。

2. 连续转换：开启ADC及致能连续转换，MCU就持续在转换，当转换完成后，

就会更新模/数转换器转换数据高/低位元组暂存器。

3. 定时转换：搭配Watch timer所设定的时间，定时转换ADC数据资料。

PWM输出相位可否调整?

回答

PWM控制暂存器有提供输出相位设定位元。

WT56F216/WT51F104是否支援外部晶振4MHz或8MHz?

回答

可支援但是在程式中必需致能ISP_CHG_12M及UART_ISP_CHG位元。并且在Source clock选择到外部振盪器后，才可以关闭IRC_12M_PD1及IRC_12M_PD2的振盪器电源开关。详细可参考Data Sheet电源管理章节及范例程式。

WT56F216及WT51F104 Die未封黑胶时，进入测试静态电流时，因为光的照射电流会变大，只要用黑布盖住测试治具电流就会正常。

回答

半导体的PN结构具光生伏特的效应，在太阳光照射下具有足够能量的光子会进入PN结构区产生电子/电洞对，偏压使PN电场让电子与电洞移动产生电荷累积再经负载形成电流。这种现象应用在太阳能发电就是光伏发电技术。

为何选择WLINK-SWUT烧录电压?

回答

WT56F216/WT51F104的ADC有3个电压参考源，当选择内部参考电压Band gap时，其精准度为多少?

回答

因Band Gap 出厂时并无作校调, 因此每颗的差异可能较大精度误差的部份, Bandgap voltage = 1.22v ± 0.16v。

任何中断，都有相应设置，当中断产生进入中断执行程式时，其IRQ事件是由硬体清除；如不开中断设置，改用查询方式，其IRQ位元元是否要用软体清除？

回答

使用polling 方式, 仍必須用軟體去清除相應的 IRQ位元。

低壓偵測的電壓值，精度有多少。

回答

WT56F216及WT51F104的 LVD 為八階;

分別是3.75V 3.5V 3.25V 3.0V 2.75V 2.5V 2.25V 2.0V

其中實際的個體的電壓離散範圍分別為:

3.75V => 4.15V ~ 3.45V

3.50V => 3.85V ~ 3.15V

3.25V => 3.58V ~ 2.92V

3.00V => 3.30V ~ 2.70V

2.75V => 3.03V ~ 2.47V

2.50V => 2.75V ~ 2.25V

2.25V => 2.48V ~ 2.02V

2.00V => 2.20V ~ 1.80V

E2PROM寫入及擦除時間是多少，及使用注意事項?

回答

建議MCU工作在12MHZ下，其寫入1個位元組的時間28~32uS；擦除1個區塊(1 Bank = 256 Bytes)的時間

為28~32ms，另外為了延長使用壽命，在寫滿一整個區塊後再擦除，詳細請參考仿真式E2PROM 應用檔

是否有指令集及每條指令週期，位元元組數及是否影響PSW寄存器標誌位元的資料。

回答

請參閱 "Weltrend_1T8051匯編指令"。

彷真运行时，如何才能看到IO口的状态。

回答

请先确认 Keil C 的 License是正确的, 后续的 complier & debug 才能正确;请在 watch 视窗, 加入要观测的变数名 , ex : rGPIOA_DAT。

原先的PIC16F616的HEX烧录档案是否可以转成在伟铨MCU上的烧录档吗?

回答

WT51F104 与 PIC16F616仅脚位功能相容, 内部结构( pic是 RISC; WT51F104 是 8051的 CISC )是有很大的差异, 因此无法直接转 code 的. 在程式这边需要针对其底层的驱动, 再作调整才能套用.另外, 因 MCU 核心结构的差异, 在 code size 的评估也不同; pic 是用 Word 来表示的, 每条指令就是一个 Word, 8051 是用 BYTE 来表示的, 每条指令由 1~3 byte 组成, 平均约 2.xx bytes. 因此 pic 2K-word , 在 8051 这边就要用至少 4K-bytes 的 code size 去评估。

请问 WT56F216或WT51F104 在 Green mode 时, UART 可以设定在 2400-bps ?

回答

在Green mode 时, MCU时脉是32KHz , 因此 UART时脉也是32KHz;所以UART是没法执行 2400-bps。

在SWUT_ISP checksum 栏位可以看到二个checksum, 那一个才是程式的checksum 呢?

回答

checksum 看 Bin File checksum

关于PWM 如果没有用中断, 在关掉PWM时, PWM会自己在完整的一个週期后结束吗?

回答

PWM 被设定关闭时, 就立即关闭输出并不会在完整的一周后结束。

因WT56F216/WT51F104有Code option在Flash Rom内，在使用上有什么要注意的地方 ?

回答

WT56F216 Flash size : 0x3FF8 ~ 0x3FFF

WT51F104 Flash size : 0x0FF8 ~ 0x0FFF

总之没使用到 code option 时，最后 8 Byte 强制填 0xFF，请直接将CodeOption216.a51或CodeOption104.a51放到Keil C专案内即可。

UART Baudrate的设定方式?

回答

1.标准8051的Timer1及Timer2 (For UART0 or UART1)。

2.独立的鲍率产生器SBRG0、SBRG1(SBRG0 for UART0/ SBRG1 for UART1)。

WT56F216/WT51F104的工作模式有哪些?

回答

1.高速正常模式：MCU的系统为外部或内部 12MHz。

2.低速省电模式：MCU的系统为外部或内部 32KHz。

3.空闲模式：只剩Peripheral Clock在工作，可支援最多的唤醒源，如SPI、IIC、ADC、ACOMP、WTMR、Enhance Timer…等。

4.睡眠模式：所有的Clock都停止。

WT56F216/WT51F104内建通讯有哪些? 是否可同时使用?

回答

1. UART。

2. I2C。

3. SPI。

註：因I2C SCL与SPI SCK脚位共用，所以I2C与SPI只能择一使用。

WT56F216/WT51F104 AD精准度有多少Bit? 採样时间为多少?转换时间为多少?

回答

所有IO是否都有嵌位保护二极体？

回答

Yes

IO上的嵌位元保护二极体最大承受电压是多少？

回答

5.5V

IO上的嵌位保护二极体最大承受电流是多少？

回答

Sink/Source current:

1. VOH4 /VOL4 pins maximum sink/source current are 10mA。

2. VOH8 /VOL8 pins maximum sink/source current are 20mA。

3.3V、5.0V工作电压,施密特触发高到低电位的实测最高电压是多少？

回答

当IC在3.3V工作电压时,在某IO输入脚接100K电阻到24V是否会损坏IO？

回答

Yes. 只要input pin 超过 5.5v 就会有reliability问题。

当IC输入IO长期工作在超过电源工作电压的情况是否可能会损坏?

回答

overall reliability 会降低. (注:输入IO有0.1uF电容滤波接有100K输入电阻,100K电阻长期输入15V) 只要input pin 超过 5.5v 就会有reliability问题。

晶片3釐米处有2W功率高频电路(400MHZ以上),此情况晶片能否稳定的长期工作?

回答

是否影响与系统版layout &电路有很大关係, 因此需实测才能确定。

模/数转换器参考电压选择内部参考电压BGAP,是不是为1.22V?

回答

1.22v ± 15% 註: 内部参考电压Bandgap出厂未校正，且容易受温度及电源电压影响，但可透过暂存器读取实际电压值。

VBGAP Voltage 存放位址：

外部记忆体位址说明

E04H[3:0] 记录内部Bandgap电压低位元组 = ADC[3:0]

E05H[7:0] 记录内部Bandgap电压高位元组 = ADC[11:7]

VBGAP Voltage计算公式：VBGAP = ( 5 * ADC[11:0]) / 4096

举例：E04H[3:0] = 0x08

E05H[7:0] = 0x3E VBGAP = (5 * 0x3E8) / 4096 = 1.221V。

泛用型MCU的输入/ 输出口最大允许的总电流是多少?

回答

总输出电流或总输入电流都是90mA 在-40~85C操作温度范围内。

泛用型MCU的输入/ 输出口最大允许的总电流是多少?

回答

总输出电流或总输入电流都是90mA 在-40~85C操作温度范围内。

实时定时器使用外部32.768KHz晶振，用来计算做为时间基础的计数时钟源，其误差会多少?

回答

若使用外部晶振32.768KHz，但驱动能力设定成12MHz的，为何32.768KHz晶振会振盪成196KHz?

回答

若使用外部晶振32.768KHz，但驱动能力设定成12MHz的，为何32.768KHz晶振会振盪成196KHz?

产生六倍频为晶振的特性，当driver电流过大时，就会产生此现象。

RC 12MHz可利用外部32.768K晶振做校正，那IRC 32KHz也可以校正吗?

回答

IRC 32KHz不能做校正。

8052 port和UART port需要外接pull high电阻吗?

回答

需要，因为会设定输出型态为open-drain。

何种设定会造成死机?无法再次烧录。

回答

因外部晶振的电源开关其预设值为关闭，若要把source clock选为外部晶振，要先把外部晶振的电源开关先打开，再把source clock选为外部晶振，不然会造成MCU没有clock，进而造成无法再次烧录的情形。注意重点为，切换source clock前，需先把其电源开关打开。

伟诠电子2025年3月营收报告

常见问题及解答

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若使用外部晶振32.768KHz，但驱动能力设定成12MHz的，为何32.768KHz晶振会振盪成196KHz?