都有支援MOV及MOVX指令。指令MOVX是給GPIOA~GPIOF埠使用，至於MOV指令是標準8051 I/O在使用，MCU提供4個GPIO腳位支援8051 Port 0功能，可以使用MOV、SETB及CLR指令來設定GPIO的準位狀態，詳細可參考GPIO範例程式。

 WT56F216/WT51F104都內建LVD/LVDR，所以可以透過低壓偵測復位達到相同的效果，詳細可參考Data sheet中的低壓偵測復位章節(LVDR)。

WT56F216 / WT51F104從上電到復位元完成需要16ms。

WT56F216 / WT51F104的GPIO初始值為Input Tri-state，因此不會讓LED閃爍。

WT56F216 / WT51F104都支援仿真式E2PROM，因此可以在每次完成開機程式後，將所有的狀態都儲存到Flash內。詳細可參考仿真式E2PROM應用文件。

WT56F216燒錄16Kbyte需要20秒

WT51F104燒錄4Kbyte需要3.5秒

 已經過合格的實驗室測試，EFT可達 ±4KV；ESD Contact 可達±4KV Air可達±15KV。

1. 單一轉換： 開啟ADC及致能單一轉換，等待轉換完成後讀取數據資料。

2. 連續轉換： 開啟ADC及致能連續轉換，MCU就持續在轉換，當轉換完成後，

就會更新模/數轉換器轉換數據高/低位元組暫存器。

3. 定時轉換： 搭配Watch timer所設定的時間，定時轉換ADC數據資料

 PWM控制暫存器有提供輸出相位設定位元。

 可支援但是在程式中必需致能ISP_CHG_12M及UART_ISP_CHG位元。並且在Source clock選擇到外部振盪器後，才可以關閉IRC_12M_PD1及IRC_12M_PD2的振盪器電源開關。詳細可參考Data Sheet電源管理章節及範例程式。

支援且仿真及燒錄皆可在KEIL C開發環境下完成。

半導體的PN結構具光生伏特的效應，在太陽光照射下具有足夠能量的光子會進入PN結構區產生電子/電洞對，偏壓使PN電場讓電子與電洞移動產生電荷累積再經負載形成電流。 這種現象應用在太陽能發電就是光伏發電技術。

因Band Gap 出廠時並無作校調, 因此每顆的差異可能較大 精度誤差的部份, Bandgap voltage = 1.22v ± 0.16v。

使用polling 方式, 仍必須用軟體去清除相應的 IRQ位元。

WT56F216及WT51F104的 LVD 為八階;

分別是3.75V 3.5V 3.25V 3.0V 2.75V 2.5V 2.25V 2.0V

其中實際的個體的電壓離散範圍分別為:

3.75V => 4.15V ~ 3.45V

3.50V => 3.85V ~ 3.15V

3.25V => 3.58V ~ 2.92V

3.00V => 3.30V ~ 2.70V

2.75V => 3.03V ~ 2.47V

2.50V => 2.75V ~ 2.25V

2.25V => 2.48V ~ 2.02V

2.00V => 2.20V ~ 1.80V

建議MCU工作在12MHZ下，其寫入1個位元組的時間28~32uS；擦除1個區塊(1 Bank = 256 Bytes)的時間

為28~32ms，另外為了延長使用壽命，在寫滿一整個區塊後再擦除，詳細請參考仿真式E2PROM 應用檔

請參閱 "Weltrend_1T8051匯編指令"。

請先確認 Keil C 的 License是正確的, 後續的 complier & debug 才能正確;請在 watch 視窗, 加入要觀測的變數名 , ex : rGPIOA_DAT。

請參考在 memory 中 用 " i :0x00"，如果將i改成”x：0x00”，可以看到暫存器的數據。

WT51F104 與 PIC16F616僅腳位功能相容, 內部結構( pic是 RISC; WT51F104 是 8051的 CISC )是有很大的差異, 因此無法直接轉 code 的. 在程式這邊需要針對其底層的驅動, 再作調整才能套用.另外, 因 MCU 核心結構的差異, 在 code size 的評估也不同; pic 是用 Word 來表示的, 每條指令就是一個 Word, 8051 是用 BYTE 來表示的, 每條指令 由 1~3 byte 組成, 平均約 2.xx bytes. 因此 pic 2K-word , 在 8051 這邊就要用至少 4K-bytes 的 code size 去評估。

在Green mode 時, MCU時脈是32KHz , 因此 UART時脈也是32KHz;所以UART是沒法執行 2400-bps。

 checksum 看 Bin File checksum 。

WT56F216 Flash size : 0x3FF8 ~ 0x3FFF

WT51F104 Flash size : 0x0FF8 ~ 0x0FFF

總之沒使用到 code option 時，最後 8 Byte 強制填 0xFF，請直接將CodeOption216.a51或CodeOption104.a51放到Keil C專案內即可。

1.標準8051的Timer1及Timer2 (For UART0 or UART1)。

2.獨立的鮑率產生器SBRG0、SBRG1(SBRG0 for UART0/ SBRG1 for UART1)。

SPI可支援4線式/3線式模式

1.高速正常模式：MCU的系統為外部或內部 12MHz。

2.低速省電模式：MCU的系統為外部或內部 32KHz。

3.空閒模式：只剩Peripheral Clock在工作，可支援最多的喚醒源，如SPI、IIC、ADC、ACOMP、WTMR、Enhance Timer…等。

4.睡眠模式：所有的Clock都停止。

 1. UART。

2. I2C。

3. SPI。

註：因I2C SCL與SPI SCK腳位共用，所以I2C與SPI只能擇一使用。

產生六倍頻為晶振的特性，當driver電流過大時，就會產生此現象。

Yes

 IRC 32KHz不能做校正。

 5.5V

 需要，因為會設定輸出型態為open-drain。

Sink/Source current:

1. VOH4 /VOL4 pins maximum sink/source current are 10mA。

2. VOH8 /VOL8 pins maximum sink/source current are 20mA。

因外部晶振的電源開關其預設值為關閉，若要把source clock選為外部晶振，要先把外部晶振的電源開關先打開，再把source clock選為外部晶振，不然會造成MCU沒有clock，進而造成無法再次燒錄的情形。注意重點為，切換source clock前，需先把其電源開關打開。

Yes. 只要input pin 超過 5.5v 就會有reliability問題。

overall reliability 會降低. (注:輸入IO有0.1uF電容濾波接有100K輸入電阻,100K電阻長期輸入15V) 只要input pin 超過 5.5v 就會有reliability問題。

是否影響與系統版layout &電路有很大關係, 因此需實測才能確定。

1.22v ± 15% 註: 內部參考電壓Bandgap出廠未校正，且容易受溫度及電源電壓影響，但可透過暫存器讀取實際電壓值。

VBGAP Voltage 存放位址：

外部記憶體位址 說明

E04H[3:0] 記錄內部Bandgap電壓低位元組 = ADC[3:0]

E05H[7:0] 記錄內部Bandgap電壓高位元組 = ADC[11:7]

VBGAP Voltage計算公式：VBGAP = ( 5 * ADC[11:0]) / 4096

舉例：E04H[3:0] = 0x08

E05H[7:0] = 0x3E VBGAP = (5 * 0x3E8) / 4096 = 1.221V。

總輸出電流或總輸入電流都是90mA 在-40~85C操作溫度範圍內。